Kapacita úložiště 2048 GB, rozhraní SATA III, rychlost při čtení 540 MB/s, rychlost při zápisu 520 MB/s, interníSamsung 850 EVO vychází z technologicky pokročilé 3D architektury V-NAND pro dosáhnutí maximální rychlosti čtení a zápisu v sekvenčním i náhodném přístupu. Tato architektura vrství buňky na sebe místo vedle sebe.
Samsung 850 EVO vychází z technologicky pokročilé 3D architektury V-NAND pro dosáhnutí maximální rychlosti čtení a zápisu v sekvenčním i náhodném přístupu. Tato architektura vrství buňky na sebe místo vedle sebe. Výsledkem je vyšší hustota a vyšší výkon v menších rozměrech, a tím překonává konvenční rovinné NAND architektury.
I při zápisu enormně obsáhlých dat nespadne rychlost až na dno. Technologie TurboWrite představuje buffer s vysokou rychlostí zápisu, který postupně distribuuje data do buněk. V případě, že disk tímto způsobem využíváte častěji, aktivujte režim Rapid. Přes příslušný software lze zvýšit výkon při zpracování dat na systémové úrovni prostřednictvím využití volné paměti RAM v počítači jako mezipaměť. S režimem Rapid poskytuje až 2× vyšší výkon než bez něj.
Nahlásit
